超高分解能ショットキー走査電子顕微鏡 SU7000を活用して研究を進めている末益・都甲研究室に注目！

SEM_x9000：表面のSEM像

結晶性が高く、方位を反映したコントラストが普通の二次電子像で見えている。(凹凸ではない)。

SEM_Crack_x1000：プラスチッククラック
曲げられてクラックが入ったプラスチック。

 

EDX：GeSn薄膜の組成分析スペクトル。

　マッピングもできるが、均一膜なのでコントラストが出ない。

EBSD：GeSn薄膜の結晶方位マッピング。

これにより結晶粒径が分かるため、電気的特性と対応させることで粒界の性質等が分かる。

GeSnはSiを凌ぐ高速半導体として期待されている。
ゆくゆくは、Siのようにバイオチップなど生活に密着した使い方がされるであろう。
都甲研では、時代を先取りして、GeSnを可塑性のプラスチック基板の上に成長させ、ウエアラブルなチップを開発することを目指している。
プラスチック上に混晶半導体を成長させるのは至難な業である。（割れたプラスチックの写真？）また、特性をあげるために、GeSn膜の構造を把握しなくてはならない。

SU7000＋EBSD/EDXは、成長したGeSn膜の解析に必須の手段である。
SEM像/EBSD/EDXの分析結果をフィードバックして、可塑性基板上で世界最高のキャリア移動度が実現している。